初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局
帶隙能量(bandgap energy)比第一和第二代半導體 (諸如Si、GaAs) 寬,且具有高電場耐壓性能;因此能實現高耐壓化、大電流化、低導通電阻化、高效率化、低功耗化、高速開關等的碳化矽 (SiC) 第三代半導體而備受矚目。第三代半導體材料主要用於光電子器件、電力電子器件 (即功率半導體) 以及微波 (Microwave) 或射頻 (Radio frequency,RF) 器件。汽車是碳排放的重要來源,低碳排放的趨勢驅動全球電動汽車產業崛起,帶動電力電子 (即功率半導體) 快速增長。......